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计划2020年投产 博世开始研发碳化硅

  据了解,德国企业博世目前正在研发碳化硅(SiC)半导体,用以进一步提升电动车的能源使用效率,预计该半导体材料将于2020年开始投产。

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  碳化硅被业界普遍认为是下一代功率半导体材料,它具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势。相比如今的IGBT功率半导体,它的发热更低,效率更高,节省的能耗能够为电动车带来约6%的续航里程提升。

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  如今,电动车企普遍依靠提升电池容量的方式来增加续航里程,然而受限于电池技术的发展速度以及成本,电动车企已经很难再通过此方法获得显著的续航提升,且要面临较高的安全风险。在这样的背景下,如何提升电动车的能源使用效率,降低能耗成为业界提升电动车续航的另一个思路。目前,特斯拉在Model 3以及新款Model S、Model X车型的驱动系统电控单元上,率先采用了碳化硅半导体,并带来了出色的能耗表现。博世或许正是看到了碳化硅半导体长远的发展前景,所以开始着力研发碳化硅半导体,但它也存在制造成本过高的问题,有待制造商解决。

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